Para ilmuwan dari Universitas Rice berhasil menemukan struktur baru dari RAM yang disebut resistive RAM (RRAM). RRAM diproduksi menggunakan bahan silikon oksida berpori yang dicampur dengan logam lain seperti emas dan platina. Platina atau emas akan digunakan untuk mengisi pori-pori dari lapisan silikon oksida. Penggunaan silikon oksida mampu menurunkan energi yang dibutuhkan untuk memproduksi RRAM, tahan panas dan memiliki umur 100 kali lebih lama dari RAM biasa. Tidak hanya itu, RRAM mempunyai lapisan yang lebih rapat sehingga bisa digunakan untuk menyimpan data dalam kapasitas yang jauh lebih besar, hingga sembilan bit per sel-nya. Kapasitas ini jauh melebihi RAM yang hanya mampu menyimpan 3 bit per sel.
Oleh sebab itu, RRAM akan nampak seperti media penyimpanan internal untuk komputer PC, SSD. Bahkan salah satu perusahaan peripheral menyatakan bila RRAM mampu menghasilkan 1 terabyte memori dalam ukuran yang mini. Alhasil, dengan ukuran sebesar perangko, RRAM bisa dibenamkan dengan mudah di smartphone atau tablet untuk menghasilkan semburan performa komputasi yang berkali-kali lipat ketimbang Galaxy S5 atau iPhone 5s.
Sumber: merdeka.com